- Oscilador em anel (1GHz), CMOS 180nm, 2018.
- Amplificador cascode auto-polarizado, CMOS 130nm, 2018.
- Latch assimétrico para obter um estado inicial conhecido, CMOS 130nm, 2017.
- Amplificador de potência para transmissor de energia sem-fio (1 GHz), CMOS 180nm, 2014.
- Receptor de energia sem-fio (1 GHz) com elemento acoplador integrado (indutor), CMOS 180nm, 2014.
- Sintetizador de frequência multipadrão (900MHz e 2.4GHz), CMOS 350nm, 2010.
- Blocos funcionais de um sintetizador de frequência, CMOS 350nm, 2008.
